光刻機根據光源波長和投射方式可分為：近紫外光光刻機：分辨率 50-200nm，適用于低端半導體器件。深紫外光光刻機：分辨率 32-100nm，用于生產中高端半導體器件。極紫外光光刻機：分辨率 14nm 及以下，適用于高端半導體器件。電子束光刻機：分辨率 10nm 及以下，用于掩模板制造和研究領域。
光刻機的分類及特點
光刻機是微電子制造中的關鍵設備，用于將電路圖樣從掩模版轉移到硅片上。根據光源波長和投射方式的不同，光刻機可分為以下幾類：
1. 近紫外光 (NUV) 光刻機
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特點：
- 使用波長為 248nm 至 365nm 近紫外光
- 分辨率：50nm 至 200nm
- 適合于制備低端半導體器件
2. 深紫外光 (DUV) 光刻機
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特點：
- 使用波長為 157nm 深紫外光
- 分辨率：32nm 至 100nm
- 可用于生產中高端半導體器件，如 DRAM 和 NAND 閃存
3. 極紫外光 (EUV) 光刻機
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特點：
- 使用波長為 13.5nm 極紫外光
- 分辨率：14nm 及以下
- 可用于生產高端半導體器件，如邏輯芯片和處理器
4. 電子束光刻機
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特點：
- 使用電子束作為光源
- 分辨率：10nm 及以下
- 主要用于掩模板制造和研究領域
不同類型的光刻機具有不同的特點，適合于生產不同級別的半導體器件。NUV 光刻機技術成熟，成本較低，但分辨率有限。DUV 光刻機分辨率更高，但成本也更高。EUV 光刻機具有最高的精度和分辨率，但其技術復雜，成本極高。而電子束光刻機則具有最高的精度，但產能低，主要用于掩模板制造和研究。
